| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPB108N15N3G |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 询价QQ： |
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IPB108N15N3G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 包装数量：1 包装形式： PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：150V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：83A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.8 毫欧 @ 83A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 160µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3230pF @ 75V 功率 - 最大值：214W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接线板 - 线至板0398801033 D-Sub，D 形8655MH3701LF PMIC - 监控BU4919G-TR 支架1418N4X24 PMIC - 监控BU4324G-TR FET - 单RFD15P05 接口 - 驱动器，ATA6664-TAQY 热敏 - 散热器580100B00000G 模块 - 带磁性元J0011D21NL D-Sub195-026-113-031 |
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